SI1902CDL-T1 Vishay

Symbol Micros: TSI1902cdl
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC70-6
2N-MOSFET 20V 1.1A 235mΩ 420mW SI1902CDL-T1-GE3
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 235mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,1A
Maksymalna tracona moc: 420mW
Obudowa: SC70-6
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 20V
Producent: Vishay Symbol producenta: SI1902CDL-T1-GE3 Obudowa dokładna: SC70-6  
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3864
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 235mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,1A
Maksymalna tracona moc: 420mW
Obudowa: SC70-6
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD