SI1902DL-T1-E3

Symbol Micros: TSI1902dl
Obudowa: SC70-6
Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 630mOhm; 660mA; 270mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 630mOhm
Maksymalny prąd drenu: 660mA
Maksymalna tracona moc: 270mW
Obudowa: SC70-6
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: SI1902DL-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SC70-6 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2400 0,6570 0,5090 0,4700 0,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 630mOhm
Maksymalny prąd drenu: 660mA
Maksymalna tracona moc: 270mW
Obudowa: SC70-6
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD