SI2301
Symbol Micros:
TSI2301 YFW
Obudowa: SOT23t/r
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; YFW2301B;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 64mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | YFW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Producent: YFW
Symbol producenta: YFW2301B RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
6000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3430 | 0,1350 | 0,0790 | 0,0578 | 0,0528 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 64mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | YFW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |