SI2301CDS SOT23 VISHAY

Symbol Micros: TSI2301cds
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 142mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,1A
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Obudowa: SOT23
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: SI2301CDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,2600 0,6740 0,5250 0,4750 0,4590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 142mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,1A
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Obudowa: SOT23
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD