KSI2302CDS-T1-GE3 KUU
Symbol Micros:
TSI2302cds KUU
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55°C ~ 150°C; KSI2302CDS-T1-GE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 59mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | KUU |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: KUU
Symbol producenta: KSI2302CDS-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
250 szt.
| ilość szt. | 5+ | 40+ | 250+ | 1000+ | 5000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6550 | 0,2340 | 0,1470 | 0,1270 | 0,1190 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 59mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | KUU |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |