SI2304BDS
Symbol Micros:
TSI2304bds
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 105mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 750mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 105mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 750mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
SI2304BDS
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; Transistors - FETs, MOSFETs - Single; SI2304BDS-T1-GE3-VB;
Producent:
VBsemi
Symbol producenta:
SI2304BDS-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
50 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,6500 | 1,0800 | 0,7750 | 0,6780 | 0,6350 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)