SI2304BDS

Symbol Micros: TSI2304bds
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 105mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,6A
Maksymalna tracona moc: 750mW
Obudowa: SOT23
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: SI2304BDS-T1-E3 Pbf L4Y0A Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3800 1,3200 1,0400 0,9810 0,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: Vishay Symbol producenta: SI2304BDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 40+ 150+ 600+
cena netto (PLN) 2,3800 1,4300 1,1300 1,0000 0,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Producent: Micro Commercial Components Corp. Symbol producenta: SI2304-TP Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 105mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,6A
Maksymalna tracona moc: 750mW
Obudowa: SOT23
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta