SI2305-CN CHIPNOBO
Symbol Micros:
TSI2305 CNB
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 63mOhm; 5,4A; 1,20W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305B-TP;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 63mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,2W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | CHIPNOBO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 63mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,2W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | CHIPNOBO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |