SI2305-TP

Symbol Micros: TSI2305-tp
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 90mOhm; 4.1A; 1,4W; -55°C~150°C; SI2305-TP-HF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 90mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,1A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23-3
Producent: MCC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 8V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Micro Commercial Components Corp. Symbol producenta: SI2305-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,6200 0,4120 0,3440 0,3200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-10-31
Ilość szt.: 3000
Rezystancja otwartego kanału: 90mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,1A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23-3
Producent: MCC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 8V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD