SI2308BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Symbol Micros:
TSI2308BDS-T1-BE3
Obudowa:
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Odpowiedniki
SI2308BDS
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND; SI2308BDS-T1-BE3; TSI2308BDS-T1-BE3;
Producent:
Vishay
Symbol producenta:
SI2308BDS-T1-E3
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
23185 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,5480 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Siliconix
Symbol producenta:
SI2308BDS-T1-E3
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
1000 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,4200 | 0,7850 | 0,6170 | 0,5720 | 0,5480 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Vishay
Symbol producenta:
SI2308BDS-T1-E3
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,4200 | 0,7850 | 0,6170 | 0,5720 | 0,5480 |
Sposób pakowania: 3000/6000
Ilość (wielokrotność 1)
SI2308BDS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol producenta:
SI2308BDS RoHS E8.
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
140 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 40+ | 150+ | 750+ |
| cena netto (PLN) | 1,1000 | 0,6990 | 0,5060 | 0,4330 | 0,3990 |
Sposób pakowania: 150
Ilość (wielokrotność 1)