SI2323DS-T1-GE3-L SOT23 PIELENST
Symbol Micros:
TSI2323ds PIE
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | PIELENST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | PIELENST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |