SI2333CDS-T1-E3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI2333cds
Obudowa:
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 28mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT-23 |
| Producent: | TECH PUBLIC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2333CDS-T1-GE3
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7209 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2333CDS-T1-GE3
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6743 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2333CDS-T1-E3
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8582 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 28mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT-23 |
| Producent: | TECH PUBLIC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |