SI2336DS-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI2336ds
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 52mOhm; 5,2A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; SI2336DS-T1-BE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 52mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Towar w drodze
Planowany termin:
2027-06-11
Ilość szt.: 3000
| Rezystancja otwartego kanału: | 52mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |