SI2347DS-T1-GE3
Symbol Micros:
TSI2347ds
Obudowa: SOT23-3
Trans MOSFET P-CH -30V -3.8A 3-Pin SOT-23 P-Channel 30 V 42 mOhm 22 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 42mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | -3,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,7W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | -30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2347DS-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8152 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 42mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | -3,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,7W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | -30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |