SI2374DS-T1-GE3
Symbol Micros:
TSI2374ds
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 41mOhm; 5,9A; 1,7W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 41mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,7W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2374DS-T1-GE3 Pbf F5.
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
| ilość szt. | 2+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5200 | 2,6200 | 1,9400 | 1,6300 | 1,5300 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2374DS-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5300 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2374DS-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 41mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,7W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |