SI3420A-TP
Symbol Micros:
TSI3420A-TP
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 35mOhm; 6A; 1,25W; -55°C~150°C; (podobny do SI3420A-13P)
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 35mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | MCC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta: SI3420A-TP RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2600 | 0,6910 | 0,4530 | 0,3920 | 0,3610 |
Producent: Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta: SI3420A-13P
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
200000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3612 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 35mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | MCC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |