SI3459BDV-T1-E3
Symbol Micros:
TSI3459bdv
Obudowa: TSOP06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 288mOhm; 2,9A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; SI3459BDV-T1-GE3
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 288mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,3W |
| Obudowa: | TSOP06 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI3459BDV-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: TSOP06 t/r
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4800 | 1,5000 | 1,1500 | 1,0400 | 0,9900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI3459BDV-T1-GE3
Obudowa dokładna: TSOP06
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI3459BDV-T1-GE3
Obudowa dokładna: TSOP06
Magazyn zewnętrzny:
24000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 288mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,3W |
| Obudowa: | TSOP06 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |