SI3483DDV-T1-GE3

Symbol Micros: TSI3483DDV-T1-GE3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TSOP06
Trans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 0,0513Ohm
Maksymalny prąd drenu: 6,4A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: TSOP06
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: SI3483DDV-T1-GE3 Obudowa dokładna: TSOP06  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5971
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 0,0513Ohm
Maksymalny prąd drenu: 6,4A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: TSOP06
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD