SI4228DY-T1-GE3 VISHAY

Symbol Micros: TSI4228dy
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Trans MOSFET 2xN-CH 25V 8A 8-Pin SOIC N
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 24mOhm
Maksymalna tracona moc: 3,1W
Maksymalny prąd drenu: 8A
Obudowa: SOP08
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: SI4228DY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
ilość szt. 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,2651
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 24mOhm
Maksymalna tracona moc: 3,1W
Maksymalny prąd drenu: 8A
Obudowa: SOP08
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD