SI4401BDY
Symbol Micros:
TSI4401bdy
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 8,7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4401BDY-T1-E3; SI4401BDY-E3; SI4401BDY-T1-GE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 21mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI4401BDY RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
47 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,1400 | 3,0400 | 2,4400 | 2,0900 | 1,9700 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI4401BDY-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
3526 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0260 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 21mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |