SI4403BDY
Symbol Micros:
TSI4403bdy
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 7,3A; 1,35W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 32mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 7,3A |
Maksymalna tracona moc: | 1,35W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI4403BDY RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,4100 | 1,3400 | 1,0600 | 0,9960 | 0,9640 |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI4403BDY RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,2700 | 1,3800 | 1,0600 | 0,9540 | 0,9080 |
Rezystancja otwartego kanału: | 32mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 7,3A |
Maksymalna tracona moc: | 1,35W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |