SI4410DY
Symbol Micros:
TSI4410dy
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 20mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 20mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: TECH PUBLIC
Symbol producenta: SI4410BDY-T1-E3 RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,1600 | 2,7600 | 2,2800 | 2,0600 | 1,9800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 20mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |