SI4435DDY
Symbol Micros:
TSI4435ddy
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 35mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 5W |
| Maksymalny prąd drenu: | 11,4A |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI4435DDY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3500 | 1,3100 | 1,0300 | 0,9720 | 0,9410 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 35mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 5W |
| Maksymalny prąd drenu: | 11,4A |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |