SI4447ADY-T1-GE3

Symbol Micros: TSI4447ady
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-MOSFET; 40V; 20V; 62mOhm; 7,2A; 4,2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 62mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,2A
Maksymalna tracona moc: 4,2W
Obudowa: SOP08
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: SI4447ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
180 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,5100 1,5800 1,2400 1,1300 1,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 62mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,2A
Maksymalna tracona moc: 4,2W
Obudowa: SOP08
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD