SI4463BDY

Symbol Micros: TSI4463bdy
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
P-MOSFET 13.7A 20V 3W 0.011Ω SI4463BDY-E3
Parametry
Typ tranzystora: P-MOSFET
Moc: 3,0W
Prąd drenu: 13,7A
Napięcie dren-źródło [Uds]: 20V
Rezystancja drenu (Rds on): 0,011 Ohm
Producent: Vishay Symbol producenta: SI4463BDY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnętrzny:
3677 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1090
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Typ tranzystora: P-MOSFET
Moc: 3,0W
Prąd drenu: 13,7A
Napięcie dren-źródło [Uds]: 20V
Rezystancja drenu (Rds on): 0,011 Ohm