SI4835DDY SMD
Symbol Micros:
TSI4835ddy
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 30mOhm; 13A; 5,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4835DDY-T1-GE3; SI4835DDY-T1-E3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 30mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 5,6W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 30mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 5,6W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |