SI4850EY

Symbol Micros: TSI4850ey
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 47mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SI4850EY-T1-GE3; SI4850EY-E3; SI4850EY-T1-E3; SI4850EY-GE3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 47mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 1,7W
Obudowa: SOP08
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: SI4850EY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
22500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: SI4850EY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
2800 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1153
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 47mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 1,7W
Obudowa: SOP08
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta