SI4909DY
Symbol Micros:
TSI4909dy
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 8A; 27mOhm; 3,2W; -55°C~150°C; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY-T1-GE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 27mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VBsemi |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: VBsemi
Symbol producenta: SI4909DY-VB RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8900 | 2,5800 | 2,1400 | 1,9300 | 1,8500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI4909DY-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8719 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 27mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VBsemi |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |