SI6562CDQ-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI6562cdq
Obudowa: TSSOP08
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 22mOhm/30mOhm; 6,7A/6,1A; 1,6W/1,7W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 22mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,6W |
| Obudowa: | TSSOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 22mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,6W |
| Obudowa: | TSSOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |