SI7115DN-T1-E3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7115dn
Obudowa:
Tranzystor P-Channel MOSFET; 150V; 20V; 295mOhm; 8,9A; 52W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 295mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 52W |
| Obudowa: | PowerPAK 1212-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 295mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 52W |
| Obudowa: | PowerPAK 1212-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -50°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |