SI7119DN-T1-E3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7119dn
Obudowa:
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,05Ohm; 3,8A; 3,7W; -50°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,05mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,7W |
| Obudowa: | PowerPAK 1212-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7119DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4828 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7119DN-T1-E3
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4828 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,05mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,7W |
| Obudowa: | PowerPAK 1212-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -50°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |