SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7121adn
Obudowa:
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 26mOhm; 18A; 27,8W; -50°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 26mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 27,8W |
| Obudowa: | PowerPAK 1212-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 26mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 27,8W |
| Obudowa: | PowerPAK 1212-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -50°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |