SI7137DP-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7137dp
Obudowa: PPAK-SO8
Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 42A |
| Maksymalna tracona moc: | 6,25W |
| Obudowa: | PPAK-SO8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI7137DP-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: PPAK-SO8
Stan magazynowy:
90 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4000 | 2,1600 | 1,7000 | 1,5200 | 1,4800 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7137DP-T1-GE3
Obudowa dokładna: PPAK-SO8
Magazyn zewnętrzny:
42000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9655 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7137DP-T1-GE3
Obudowa dokładna: PPAK-SO8
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,5728 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 42A |
| Maksymalna tracona moc: | 6,25W |
| Obudowa: | PPAK-SO8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |