SI7139DP smd Vishay
Symbol Micros:
TSI7139dp
Obudowa: SO-8
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 40A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI7139DP-GE3; SI7139DP-T1-GE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 40A |
| Maksymalna tracona moc: | 48W |
| Obudowa: | SO-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI7139DP T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: SO-8
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,2900 | 5,8200 | 4,9800 | 4,4700 | 4,2900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7139DP-T1-GE3
Obudowa dokładna: SO-8
Magazyn zewnętrzny:
1375 szt.
| ilość szt. | 25+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,8409 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7139DP-T1-GE3
Obudowa dokładna: SO-8
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 40A |
| Maksymalna tracona moc: | 48W |
| Obudowa: | SO-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |