SI7141DP-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7141dp
Obudowa:
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 3mOhm; 60A; 104W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 104W |
| Obudowa: | PowerPAK SO-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 104W |
| Obudowa: | PowerPAK SO-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |