SI7153DN-T1-GE3
Symbol Micros:
TSI7153DN-T1-GE3
Obudowa:
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 15mOhm; 18A; 52W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 15mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 52W |
| Obudowa: | PowerPAK 1212-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7153DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1302 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 15mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 52W |
| Obudowa: | PowerPAK 1212-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |