SI7155DP VISHAY
Symbol Micros:
TSI7155dp
Obudowa: PPAK
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,6mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C; SI7155DP-T1-GE3
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 104W |
| Obudowa: | PowerPAK SO-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7155DP-T1-GE3
Obudowa dokładna: PPAK
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,2459 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 104W |
| Obudowa: | PowerPAK SO-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |