SI7288DP-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7288dp
Obudowa: PPAK-SO8
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PowerPAK SO EP
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 22mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,6W |
| Obudowa: | PPAK-SO8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 22mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,6W |
| Obudowa: | PPAK-SO8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |