SI7454DDP-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7454ddp
Obudowa:
Trans MOSFET N-CH 100V 7.9A 8-Pin PowerPAK SO
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 27mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 21A |
| Maksymalna tracona moc: | 29,7W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7454DDP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8747 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7454DDP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9468 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 27mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 21A |
| Maksymalna tracona moc: | 29,7W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |