SI7489DP-T1-E3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7489dp
Obudowa: PPAK-SO8
Trans MOSFET P-CH 100V 7.8A 8-Pin PowerPAK SO SI7489DP-T1-GE3; SI7489DP-GE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 47mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 5,2W |
| Obudowa: | PPAK-SO8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 47mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 5,2W |
| Obudowa: | PPAK-SO8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |