SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7655adn
Obudowa:
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 9mOhm; 40A; 57W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 40A |
| Maksymalna tracona moc: | 57W |
| Obudowa: | PowerPAK 1212-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 40A |
| Maksymalna tracona moc: | 57W |
| Obudowa: | PowerPAK 1212-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |