SI7949DP-T1-E3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7949dp
Obudowa:
Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 80mOhm; 3,2A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | PowerPAK SO-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7949DP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3003 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7949DP-T1-E3
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3003 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7949DP-T1-E3
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2754 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7949DP-T1-E3
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3864 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7949DP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3290 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7949DP-T1-E3
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4343 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | PowerPAK SO-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |