G180N06S2
Symbol Micros:
TSI9945bdy GO
Obudowa: SOP08
Tranzystor MOSFET; SOP-8; DUAL; N-Channel; NO ESD; 60V; 8A; 2W; 1.5V; 16.5mΩ; 18mΩ Si4946CDY; Si9945BDY; Si9634DY; G05N06S2 GOFORD; G06N06S2 GOFORD; G09N06S2 GOFORD
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 22mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | GOFORD |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 22mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | GOFORD |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |