SIA445EDJT-T1-GE3
Symbol Micros:
TSIA445EDJT-T1-GE3
Obudowa: PPAK-SC70-6
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 12A; 19W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 30mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 19W |
| Obudowa: | PPAK-SC70-6 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 30mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 19W |
| Obudowa: | PPAK-SC70-6 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |