SIHG20N50C-E3
Symbol Micros:
TSIHG20n50c
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 270mOhm; 20A; 250W; -55°C ~ 150°C; VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 270mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 250W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 270mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 250W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |