SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Symbol Micros:
TSIHK045N60E-T1-GE3
Obudowa: PPAK-SO8
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; +/-30V; 49mOhm; 48A; 278W; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 49mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 48A |
| Maksymalna tracona moc: | 278W |
| Obudowa: | PPAK-SO8 |
| Producent: | Siliconix |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 49mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 48A |
| Maksymalna tracona moc: | 278W |
| Obudowa: | PPAK-SO8 |
| Producent: | Siliconix |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |