SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Symbol Micros:
TSIR426dp
Obudowa: PPAK
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 12,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 41,7W |
| Obudowa: | PowerPAK SO-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SIR426DP-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 200+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4200 | 3,7900 | 3,1300 | 2,8900 | 2,8500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SIR426DP-T1-GE3
Obudowa dokładna: PPAK
Magazyn zewnętrzny:
50 szt.
| ilość szt. | 25+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,1433 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 12,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 41,7W |
| Obudowa: | PowerPAK SO-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |