SIR638DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Symbol Micros:
TSIR638dp
Obudowa:
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,16mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 0,00116Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 104W |
| Obudowa: | PowerPAK SO-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 0,00116Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 104W |
| Obudowa: | PowerPAK SO-8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |