SIR872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Symbol Micros:
TSIR872dp
Obudowa: PPAK-SO8
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 20mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 53,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 6,25W |
| Obudowa: | PPAK-SO8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SIR872DP-T1-GE3
Obudowa dokładna: PPAK-SO8
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,4827 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 20mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 53,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 6,25W |
| Obudowa: | PPAK-SO8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |