SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Symbol Micros: TSIR873dp
Symbol Kontrahenta:
Obudowa:  
MOSFET P-CH 150V 37A POWERPAKSO
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 0,0475Ohm
Maksymalny prąd drenu: 37A
Maksymalna tracona moc: 104W
Obudowa: PowerPAK SO-8
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 0,0475Ohm
Maksymalny prąd drenu: 37A
Maksymalna tracona moc: 104W
Obudowa: PowerPAK SO-8
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD