SIR882BDP-T1-RE3
Symbol Micros:
TSIR882BDP-T1-RE3
Obudowa: PPAK-SO8
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 67,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 83,3W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 67,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 83,3W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |